| 24018683 25600 5883 938 1Коренман И. М., Количественный микрохимический анализ, М.- Л., 1949; Алимарин И. П., Фрид Б. И., Количественный микрохимический анализ минералов и руд, М., 1961; Коренман И. М., Микрокристаллоскопия, М., 1955; Руководство по газовой хро-матографии, пер. с нем., под ред. А. А. Жу-ховицкого, М., 1969; Weisz Н., Mic-roanalysis by the ring-oven technique, 2 ed., Oxf., 1970.
M. H. Петрикова.
МИКРОЦЕФАЛИЯ (от микро... и греч. kephale - голова), значительное уменьшение размеров черепа и соответственно головного мозга при нормальных размерах др. частей тела. М. сопровождается умственной недостаточностью-от нерезко выраженной имбецилыюсти до идиотии (см. Олтофрения). Причины М.: вирусные заболевания, перенесённые матерью в первые 3 мес беременности, токсоплазмоз; иногда причина М.-внутриутробный менингоэнцефалит плода. Прогноз при М. неблагоприятный.
МИКРОЭВОЛИЦИЯ, совокупность пусковых эволюционных процессов, протекающих внутри вида, в пределах отдельных или смежных популяций. При этом популяции рассматриваются как элементарные эволюционные структуры; мутации, лежащие в основе наследственной изменчивости,- как элементарный эволюционный материал, а мутационный процесс, волны жизни, разные формы изоляции и естественный отбор - как элементарные эволюционные факторы. Под давлением этих факторов происходит изменение генотипич. состава популяции - ведущий пусковой механизм эволюционного процесса. Ранее терминам." употреблялся нек-рыми эволюционистами для обозначения изменчивости и формообразования внутри вида и противопоставлялся макроэволюции. Совр. учение о М. развилось после синтеза генетики с классич. дарвинизмом, начало чему было положено работами сов. генетика С. С. Четверикова (1926) и англ, генетика Р. А. Фишера (1930). По совр. воззрениям (иногда наз. "синтетич. теорией эволюции"), все осн. пусковые механизмы эволюции (на всех её уровнях) протекают внутри видов, т. е. на микроэволюционном уровне. М. завершается видообразованием, т. е. возникновением видов, репродуктивно изолированных от исходных и др. близких видов. Поэтому нет принципиальных различий между М. и макроэволюцией, различающихся лишь временными и пространственными масштабами. Для успеха исследований на микроэволюционном уровне необходим синтез популяционно-генетических опытов, количеств, описаний процессов попу-ляционной динамики и экологии, изучения этологических явлений, аналитич. применения теоретич. положений генетики и, наконец, построения математич. моделей внутрипопуляционных и меж-популяционных процессов.
Лит.: Четвериков С. С., О некоторых моментах эволюционного процесса с точки зрения современной генетики, "Журнал экспериментальной биологии", 1926. т. 2, в. 1; Тимофеев-Ресовский Н.В., Микроэволюция, "Ботанический журнал", 1958, т. 43, № 3; Ш м а л ь г а у з е н И. И., Факторы эволюции, 2 изд., М., 1968; М а и р Э., Зоологический вид н эволюция, пер. с англ., М., 1968; его же, Принципы зоологической систематики, пер. с англ., М., 1971; Т и м о ф е е в - Р е с о в с к и и Н. В., Воронцов Н. Н., Яблоков А. В., Краткий очерк теории эволюции, М., 1969; Fisher R. A., The genetical theory of natural selection, Oxf., 1930; Huxley J., Evolution. The modern synthesis, 2 ed., L., 1963. H. В. Тимофеев-Ресовский.
МИКРОЭЛЕКТРОДНАЯ ТЕХНИКА в физиологии, применяется для измерения электрических, концентрационных и окислительных потенциалов различных клеток и их частей, а также для мастного, строго ограниченного воздействия на них током и различными веществами. Микроэлектроды введены в 1946 амер. учёными Р. Джерардом и Дж. Лингом и стали применяться для отведения электрич. потенциалов сначала от одиночного мышечного волокна, а затем и от отдельной клетки. В лабораторных исследованиях используются ме-таллич. микроэлектроды с диаметром кончика порядка 1 мкм, заполненные раствором электролита стеклянные микропипетки с диаметром кончика меньше 1 мкм и нек-рые др. типы микроэлектродов. Для подведения их к объекту применяют микроманипуляторы. Околоклеточное отведение позволяет регистрировать токи действия, внутриклеточное отведение, кроме того - уровень мембранного потенциала и постсинаптические потенциалы (см. Биоэлектрические потенциалы). Регистрация биопотенциалов с помощью микроэлектродов требует спец. усилительной техники. М. т. позволила исследовать электрич. явления в нервных клетках, благодаря чему были сделаны фундаментальные открытия: раскрыты механизмы синаптической передачи и генерации токов действия, а также получены сведения о временном и пространственном распределении нервных импульсов, кодирующем передачу информации в нервной системе.
Лит.: Костюк П. Г., Мнкроэлектрод-ная техника, К., 1960; Glass microelectrodes, N. Y., 1969. О. 3. Бомштейн.
МИКРОЭЛЕКТРОМАШИНА, электрическая машина мощностью от долей вт до неск. сотен вт, с частотой вращения вала (ротора) до 30 000 об/мин. Различают М. постоянного и переменного тока и универсальные. М. могут иметь различное конструктивное исполнение в зависимости от назначения и условий их эксплуатации. В устройствах автоматики, в кино-, фото- и радиоаппаратуре широко применяют микропривод, а в системах с элементами обратной связи - тахогенераторы, к-рые используются также в дифференциаторах интеграторах. В системах синхрониз. применяют реактивные электродетали с сосредоточенной статорной o6работкой и сельсины; в гироскопах и радиолокац. установках, а также в системах следящего электропривода широко распространены индукторные генераторы Шаговые электродвигатели чаще всего применяют для привода механизнов, имеющих стартстопное движение, механизмов с непрерывным движением в к-рых управляющее воздействие задаются последовательностью электрич. импульсов, напр, в приводах станков с программным управлением и т. д. В бвтовых электроприборах используют унтиверсальные коллекторные электродвигатели
Лит.: Армейский Е. В., Фа Г. Б., Электрические микромашины, 1968; Бруски н Д. Э., Зорович А. Е., Хвостов В. С., Электр] скне машины и микромашины, М.,
Ю. М. Иныв
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, область электроники, занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатном интегральном исполнении. Возникновение М. в нач. 60-х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением функций электронной аппаратуры, увеличением габаритов и повышением требований к её надёжности. Применение в отдельных устройствах неск. ты сяч и десятков тысяч самостоятельно изготовленных электронных ламп, транзисторов, конденсаторов, резисторов, трансформаторов и др., сборка их путем соединения выводов пайкой или сваркой, делали аппаратуру громоздкой, трудоемкой в изготовлении, недостаточно надёжной в работе, требующей значит. потребления электроэнергии и т. д. Поиски путей устранения этих недостатков привели к появлению новых конструктивно-технологич. направлений создан. электронной аппаратуры: печатного монтажа, модулей и микромодулей и интегральных схем (на базе групповых методов изготовления).
Используя достижения в области физики твёрдого тела и особенно физ. полупроводников, М. решает указанные проблемы не путём простого уменьшения габаритов электронных элементов, а созданием конструктивно, технологическ. и электрически связанных электронных структур-функциональных блоков и узлов. В них согласно принципиальной схеме конструктивно объединено большое число микроминиатюрных элементов и их электрич. соединений, изготавливаемых в едином технологич. процессе. Такой процесс, ставший возможным благодаря предложенному в 1959 плана,процессу получения полупроводниковых (ПП) приборов, предполагает применение исходной общей заготовки (обычно в виде пластины из ПП материала для большого числа (~100 - 2000) одинаковых электронных функциональных узлов, одновременно проходящих по следоват. ряд технологич. операций" в идентичных условиях (рис. 1). Т. о. каждый такой узел получают не в результате сборки из дискретных элементов, а в итоге поэтапной групповой интегральной обработки многих одинаковых узлов на одной пластине В процессе обработки отд. участка ПП материала придаются свойства различных элементов и их соединений. в целом образующих изготавливаемы узел. Полученный микроминиатюрный узел, отделённый от пластины и помещённый в корпус, наз. интегральной микросхемой, или интегральной схемой (ИС). В связи с этим в М. изменяется само понятие элемента. Практически элементом становится ИС как неделимое изделие, состоящее из 5 элементов и более. ИС характеризуется уровнем интеграции - числом простейших элементов в ней.
Рис. 1. Кремниевая пластина диаметром 60 мм с изготовленными на ней ~2000 одинаковых структур интегральных схем; дефектные структуры на пластине помечены краской (точки и штрихи). Внизу показан в увеличенном виде кристалл с отдельной структурой; его размеры 1,2X1,2 мм. 1 - соединительная токоведущая дорожка; 2 - диод; 3 - резистор; 4 - контактная площадка; 5 -транзистор.
В силу специфики - исключительно высокой точности проведения технологич. процессов и большого числа операций -для изготовления микроэлектронных изделий требуются разнообразные высоко-качеств. ПП и др. материалы и прецизионное технологич. оборудование. Базовым ПП материалом служит монокристаллический кремний. Технологическое оборудование должно обеспечить изготовление элементов ИС с точностью их размеров в пределах единиц и долей микрометра.
В соответствии с используемыми кон-структивно-технологич. и физич. принципами в М. может быть выделено неск. взаимно перекрывающихся и дополняющих друг друга направлений: интегральная электроника, вакуумная микроэлектроника, оптоэлектроника и функциональная электроника. Наибольшее развитие получила интегральная электроника. С её появлением открылись широкие возможности микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры, начался процесс создания аппаратуры третьего поколения - с применением ИС (первое поколение - на электровакуумных приборах, второе - на ПП приборах). Область применения ИС простирается от вычислит, техники и кос-мич. систем до бытовой аппаратуры. Темпы роста произ-ва ИС исключительно высоки. Мировая пром-сть в 1972 выпустила более 1 млрд. ИС.
На базе групповых методов изготовления, путём формирования необходимого количества электронных элементов и электрич. связей между ними в объёме одного ПП кристалла были впервые созданы (1959-61) полупроводниковые ИС. В их произ-ве наиболее распространена планарно-эпитаксиальная технология, заимствованная из произ-ва дискретных ПП приборов (см. Полупроводниковая электроника) и отличающаяся от него лишь дополнит, операциями по электрич. изоляции отд. элементов на ПП пластине и соединению всех элементов в кристалле в единый функциональный узел. Для изоляции используются методы создания вокруг элемента области ПП материала с противоположным типом проводимости (при этом образуется изолирующий р-п-переход, см. Электронно-дырочный переход) или слоя диэлектрика, напр, двуокиси кремния. Осн. технологич. операции планарно-эпитаксиальной технологии: механич. и химич. обработка ПП пластин; эпи-таксиальное наращивание на пластине слоя с необходимыми электрофизич. свойствами (типом проводимости, удельным сопротивлением и т. д.); фотолитография, легирование (напр., посредством диффузии или ионного внедрения); нанесение металлич. плёнок - электродов, соединит, дорожек, контактных площадок (рис. 2).
Из всех перечисленных этапов технологического процесса наиболее ответственным является фотолитография. Она обеспечивает проведение избират. обработки отд. участков ПП пластины, напр, вытравливание "окон" в окисной плёнке на пластине для проведения диффузии примесей. В этом процессе используется светочувствит. лак - фоторезист. Плёнка фоторезиста, нанесённая на ПП пластину, облучается ультрафиолетовым светом через приложенную плотно к пластине фотомаску-т. н. фотошаблон, к-рый представляет собой стеклянную пластинку с выполненным на ней повторяющимся рисунком, образованным непрозрачными и полупрозрачными участками (чаще всего слоя хрома). После облучения плёнка фоторезиста подвергается селективному травлению, в результате чего на ПП пластине воспроизводится рисунок фотошаблона. Экспонирование фоторезиста проводится также и бесконтактным способом: проецированием рисунка на пластину. Перспективен метод экспонирования заданного рисунка электронным лучом (электронолитография).
Рис. 2. Последовательность основных технологических операций одного из способов нз-" готовления полупроводниковых ИС: А - подготовка (шлифовка, полировка) пластины кремния с проводимостью р-типа; Б - окисление кремния в атмосфере сухого кислорода; В - фотолитография (фотогравировка слоя окисла кремния, вскрытие "окон" в нём); Г -диффузия сурьмы или мышьяка через "окна в окисле для получения высокопроводящей области "скрытого" слоя кремния п-типа (О под коллектором будущего транзистора и базой диода; Д - эпитаксиальное наращивание кремния-нанесение слоя кремния п-типа (2); Е - изолирующая диффузия для получения взаимной электрической изоляции будущих элементов интегральной схемы (ей предшествует окисление эпитаксиального слоя и селективное удаление окисной плёнки с помощью фотолитографии) - диффузия бора, в результате которой эпитаксиальный слой разделяется на отдельные островки кремния п-типа (3), окружённые кремнием р-типа; Ж, 3 - формирование элементов интегральной схемы в изолированных областях кремния последовательным проведением ещё двух диффузий примесей через вскрываемые с помощью фотолитографии "окна" в дополнительно нанесённой окисной плёнке кремния [вторая диффузия - диффузия бора - производится для создания базовых областей (4) транзисторов, p-n-переходов и областей резисторов, при третьей диффузии - диффузии фосфора - формируются эмит-терные области транзисторов (5)1; И - вскрытие "окон" в окисле кремния под контакты с областями коллектора, эмиттера и базы транзисторов, р- и п- областями диодов и с резисторами; К - создание внутрисхемных соединений посредством вакуумного напыления на поверхность пластины плёнки алюминия, к-рая затем селективно травится с помощью фотолитографии; сохранённые участки алюминия (6) образуют электроды элементов, соединительные дорожки и контактные площадки для подсоединения структуры интегральной схемы к выводам корпуса.
При изготовлении полупроводниковых ИС требуется неоднократное проведение фотолитография, процесса с воспроизведением на пластине совмещающихся между собой различных рисунков. Для этого обычно используется набор из 7-8 фотошаблонов. Проектирование и изготовление фотошаблонов требует особо высокой точности и соблюдения в производств, цехах условий вакуумной гигиены (не более 3-5 пылинок размером ок. 0,5 мкм на 1л воздуха): для получения сотен элементов микронных размеров в сотнях идентичных ИС, изготавливаемых одновременно на одной ПП пластине, фотошаблоны должны обеспечивать воспроизводимость размеров от одного рисунка к другому и их взаимную совмещаем ость. Поэтому при проектировании и изготовлении фотошаблонов используется сложное прецизионное оборудование: координатографы с программным управлением от ЭВМ для вычерчивания оригинала рисунка с увеличением в сотни раз; различной конструкции фотоштампы для уменьшения рисунка-оригинала и его мульти-плицирования (размножения).
Для формирования структур элементов в исходной ПП пластине проводится легирование примесями участков, подготовленных на этапе фотолитографии. Осн. методом легирования является диффузия, напр, при помещении пластины кремния на нек-рое время в пары примеси при темп-ре 1100-1200 °С. Точность поддержания темп-ры, постоянство концентрации примеси у поверхности пластины, длительность процесса определяют распределение примеси по толщине пластины и соответственно параметры формируемого элемента. Кроме диффузии, легирование может производиться ионным внедрением (бомбардировкой пластины ионизированными атомами примеси), к-рое является новым технологич. направлением, дополняющим и частично заменяющим диффузию. Полупроводниковые ИС имеют высокий уровень интеграции (до 10 000 элементов и более в одном ПП кристалле).
Совершенствование технологии изготовления активных (диодных и транзисторных) элементов на пластинах ПП материала путём перехода на групповые методы стимулировало развитие техники печатного монтажа и плёночной технологии создания пассивных (резистивных, ёмкостных) микроминиатюрных компонентов, что послужило основой для разработки плёночных ИС. Плёночные ИС, как правило, являются чисто пассивными, т. к. нанесение монокри-сталлич. ПП плёнок для формирования активных элементов не обеспечивает необходимого их качества. Основой для плёночной ИС служит диэлектрич., напр, керамическая, подложка. Различают толстоплёночную технологию изготовления ИС - нанесение слоев проводящих, резистивных и диэлектрич. паст толщиной от 1 до 25 мкм и тонкоплёночную технологи ю-вакуумное напыление плёнок толщиной до 1 мкм через металлич. трафареты или вакуумное напыление в сочетании с последующей фотолитографич. обработкой.
Плёночная ИС со смонтированными на ней бескорпусными дискретными ПП приборами (диодами, транзисторами) и бескорпусными полупроводниковыми ИС называется гибридной ИС (рис. 3). Её пассивная часть может быть выполнена многослойной, в виде набора керамич. подложек со слоями плёночных элемев-тов. После спекания подложек получается монолит с многослойным расположением электрически соединённых между собой пассивных элементов. Бескорпусные активные элементы монтируются на верхней поверхности монолита.
Рис. 3. Гибридная интегральная схема со снятой крышкой корпуса (2 идентичных операционных усилителя с 33 компонентами в каждом). На основании корпуса размещена керамическая подложка размером 29X39 мм с выполненными на ней тонкоплёночными резисторами (1) и соединительными токоведущими дорожками (2); к контактным площадкам (3) плёночной интегральной схемы подсоединены навесные элементы - бескорпусные транзисторы (4), конденсаторы (5); внешние контактные площадки (6) интегральной схемы соединены с выводами корпуса (7).
Кроме полупроводниковых и плёночных ИС, изготавливают т. н. совмещённые ИС. Активные элементы в них выполняются в объёме ПП подложки по планарно-эпитаксиальной технологии, а пассивные элементы и электрич. соединения наносятся в виде тонких плёнок на поверхность монолитной структуры. По уровню интеграции совмещённые ИС приближаются к полупроводниковым.
Изготавливают также многокристальные ИС с высоким уровнем интеграции, в к-рых неск. кристаллов полупроводниковых ИС объединяются на диэлектрич. подложке плёночными соединениями в сложнейшее электронное устройство. Его функциональное назначение может соответствовать отд. блоку или даже системе, напр, вычислит, машине настольного типа.
Сочетание плёночной технологии получения пассивных элементов и использование в качестве активных элементов электровакуумных приборов в микроминиатюрном исполнении привело к появлению вакуумных ИС и нового направления - вакуумной микроэлектроники. Вакуумная ИС может быть выполнена как в виде плёночной ИС с навесными микроминиатюрными электровакуумными приборами, так и в виде устройства, все компоненты к-рого помещены в вакуум. В отличие от ПП ИС вакуумные ИС имеют повышенную стойкость к воздействию космич. излучения; их плотность упаковки достигает 20-30 элементов в 1 см3.
Все виды ИС по функциональному признаку делятся на 2 больших класса: цифровые (логические) ИС и линейные ИС. Цифровые ИС предназначены для работы в логич. устройствах, в частности они применяются в ЭВМ. К линейным относятся все остальные ИС, предназначенные в основном для линейного (в конечном счёте) преобразования электрич. сигналов (усиления, модуляции, детектирования и т. д.), хотя они могут включать в себя такие нелинейные элементы, как генераторы синусоидальных колебаний, преобразователи частоты и др.
Дальнейшее развитие М. идёт гл. обр. в двух направлениях: повышение уровня интеграции и плотности упаковки в ИС, ставших традиционными; изыскание новых физич. принципов и явлений для создания электронных устройств со схемотехнич. или даже системотехнич. функциональным назначением. Первое направление привело к уровням интеграции, характеризующимся многими тысячами элементов в одном корпусе ИС с микронными и субмикронными размерами отд. элементов. Второе направление может позволить отказаться от дальнейшего повышения уровня интеграции ИС (из-за конструктивной сложности), снизить рассеиваемую мощность, увеличить быстродействие аппаратуры и др. Это новое направление в целом приобретает название функциональной микроэлектроники - электроники комбинированных сред с использованием таких явлений, как оптич. явления в твёрдом теле (оптоэлектрони-ка) и взаимодействие потока электронов с акустич. волнами в твёрдом теле (акустоэлектроника), а также с использованием свойств сверхпроводников,свойств магнетиков и полупроводников в магнитных полупроводниках (магнетоэлектро-ника) и др.
Лит.: Интегральные схемы, пер. с англ., М., 1970; Микроэлектроника. Сб. ст., в. 1 - 5, М., 1967 - 72.
А. А. Васенков, И. Е. Ефимов.
МИКРОЭЛЕМЕНТЫ, химич. элементы, присутствующие в организмах в низких концентрациях (обычно тысячные доли процента и ниже). Термин "М." применяется и для обозначения нек-рых хим. элементов, содержащихся в почвах, горных породах, минералах, водах. Точные количественные критерии для различения М. от макроэлементов не установлены. Нек-рые макроэлементы почв и горных пород (Al, Fe и др.) являются М. для большинства животных, растений, человека.
В живых организмах отдельные М. были обнаружены ещё в нач. 19 в., но их физпол. значение оставалось неизвестным. В. И. Вернадский установил, что М. не случайные компоненты живых организмов и что их распределение в биосфере определяется рядом закономерностей. По совр. данным, более 30 М. считаются необходимыми для жизнедеятельности растений и животных. Большинство М.- металлы (Fe, Си, Mn, Zn, Mo, Со и др.), нек-рые -неметаллы (I, Se, Br, F, As).
В организме М. входят в состав разнообразных биологически активных соединений: ферментов (напр., Zn - в карбо-ангидразу, Си - в полифенолоксидазу, Мп - в аргиназу, Мо - в ксантинокси-дазу; всего известно ок. 200 металлофер-ментов), витаминов (Со - в состав витамина Bi2), гормонов (I - в тироксин, Zn и Со - в инсулин), дыхат. пигментов (Fe - в гемоглобин и др. железосодержащие пигменты, Си - в гемоцианин). Действие М., входящих в состав указанных соединений или влияющих на их функции, проявляется гл. обр. в изменении активности процессов обмена веществ в организмах. Нек-рые М. влияют на рост (Mn, Zn, I - у животных; В, Mn, Zn, Cu - у растений), размножение (Mn, Zn - у животных; Мп, Си, Мо - у растений), кроветворение (Fe, Си, Со), на процессы тканевого дыхания (Cu, Zn), внутриклеточного обмена и т. д. Для ряда обнаруженных в организмах М. (Sc, Zr, Nb, Au, La и др.) неизвестно их количественное распределение в тканях и органах и не выяснена биол. роль. М.в почвах входят в состав разных соединений, большая часть к-рых представлена нерастворимыми или трудно-растворимыми формами и лишь небольшая - подвижными формами, усваиваемыми растениями. На подвижность М. и их доступность растениям большое влияние оказывают кислотность почвы, влажность, содержание органич. вещества и др. условия. Содержание М. в почвах различных типов неодинаково. Напр., подвижными формами В и Си богаты чернозёмы (0,4-1,5 и 4-30 мг в I кг почвы) и бедны дерново-подзолистые (0,02-0,6 и 0,1-6,7 мг в 1 кг), недостаток Мо ощущается в лёгких, Со - в кислых дерново-подзолистых почвах, Мп - в чернозёмах, Zn - в бурых и каштановых. Недостаток или избыток М. в почве приводит к дефициту или избытку их в растит, и животном организме. При этом происходят изменения характера накопления (депонирования), ослабление или усиление синтеза биол. активных веществ, перестройка процессов межуточного обмена, выработка новых адаптации или развиваются расстройства, ведущие к т. н. эндемич. заболеваниям человека и животных. Так, эндемич. атаксия у животных вызывается недостатком Си, нек-рым избытком Мо и сульфатов, возможно, также РЬ; эндемич. зоб у человека и животных - недостатком I; акобальтозы - нехваткой Со в почве; борные энтериты, осложнённые пневмониями (у овец),- избытком В. В различных биогеохимических провинциях эндемич. заболеваниями поражаются обычно 5-20% поголовья с.-х. животных или популяции того или иного вида. Для растений также вреден недостаток или избыток М. Напр., при недостатке Мо подавляется образование цветков у цветной капусты и у нек-рых бобовых; при недостатке Си нарушается плодообразование у злаков, цитрусовых и др. растений; при недостатке В - недоразвито цветоложе, отсутствует цветение (арахис), отмирают бутоны (яблоня, груша), засыхают соцветия (виноград) и плоды (арахис, капуста); при избытке В растения поражаются гнилью корневой шейки, заболевают хлорозом, массовое распространение получает образование галлов.
В провинциях, где концентрация отд. М. не достигает нижних пороговых границ, эндемич. болезни удаётся предупреждать и излечивать добавлением в корм животных соответствующих М.; для растений применяют микроудобрения.
В кормлении с.-х. животных М. используют также для повышения продуктивности с.-х. животных. Соли М. или водные растворы добавляют к силосу, концентрированным и грубым кормам. М.- компоненты мн. комбикормов, выпускаемых комбикормовой пром-стью. См. также Биогенные элементы и статьи по отд. элементам, напр. Бор в орг |
